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产品名称:
IRFP3306PBF
详细说明:
数据列表
IRFP3306PBF;
标准包装
400
包装
管件
零件状态
在售
类别
分立半导体产品
产品族
晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列
HEXFET®
规格
FET 类型
N 沟道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
4.2 毫欧 @ 75A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 150µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
120nC @ 10V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4520pF @ 50V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
220W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247AC
封装/外壳
TO-247-3
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公开库存信息
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