产品图片

产品名称:
FDN336P
详细说明:
 
数据列表 FDN336P;
Molded Pkg, SUPERSOT, 3 Lead Drawing;
标准包装   3,000
包装   标准卷带 
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 PowerTrench®

规格
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 1.3A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 5nC @ 4.5V
Vgs(最大值) ±8V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 330pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 500mW(Ta)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SuperSOT-3
封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3


[关闭]
  
公开库存信息
精确匹配,助找军工级偏冷门电子元器件.
为客户提供更加便利配套服务.
版权所有 2000-2009 @ 香港华航电子有限公司
       电话:86-86-754-8448 8816      传真:86-754-8448 8233  地址:中国广东省汕头市潮南区陈店镇粤东电子城旁上乡广祥路一 横7号 技术支持:大江网络